Cosul este gol
Pagină de start
Componente electronice activeTranzistoareTranzistoare N-MOSFETFQD2N80TM, N-MOSFET, 800V, 1.8A, DPAK, ONSEMI
Componente electronice activeTranzistoareTranzistoare N-MOSFETFQD2N80TM, N-MOSFET, 800V, 1.8A, DPAK, ONSEMI
Livrare
Ofertă specială de transport pentru persoane fizice
*Pentru a afla condiţiile de livrare gratuită apăsaţi aici.
Transistor Polarity: N-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage: 800 V
Gate-Source Breakdown Voltage: +/- 30 V
Continuous Drain Current: 1.8 A
Drain-Source On Resistance: 6.3 Ohms
Configuration: Single
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Mounting Style: SMD/SMT
Package / Case: TO-252
Packaging: Reel
Fall Time: 28 ns
Forward Transconductance - Min: 2.4 S
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Power Dissipation: 2.5 W
Rise Time: 30 ns
ATENTIE: Imaginile produselor au numai titlu indicativ si pot diferi de imaginea reala a produselor. Acest lucru nu schimba caracteristicile lor de baza.
Lichidare Stoc
Noutăți
Oferta zilei
ATENȚIONĂRI SPECIALE
ISO 9001
ATENȚIONĂRI SPECIALE
Buletine de știri
Cele mai vândute
- Rezistenta 2K2, 1/4W, 5%, 1/4W-2K2-5%
- Rezistenta 10K, 0.6W 10K 1%, 0.6W-10K-1%
- Rezistenta 6.8K, 1/4W, 5%, 1/4W-6K8-5%
- Rezistenta 150R, 1/4W, 5%, 1/4W-150R-5%
- Rezistenta 330K, 1/4W, 5%, 1/4W-330K-5%
- Rezistenta 3.3K, 1/4W, 5%, 1/4W-3K3-5%
- Rezistenta 3.9K, 1/4W, 5%, 1/4W-3K9-5%
- Rezistenta 4.7K, 1/2W, 5%, 1/2W-4k7-5%
- Rezistenta 68K, 1/4W, 5%, 1/4W-68K-5%
- Rezistenta 5.6K, 1/2W, 5%, 1/2W-5K6-5%