Cookies

Site-ul nostru foloseste cookies pentru a imbunatatii experienta de navigare si a oferii servicii mai usor de utilizat. Prin folosirea site-ului nostru va dati acordul ca ati citit si inteles termenii si conditiile, Info Cookies.

În curs de procesare...
IPB120N04

IPB120N04S, N-MOSFET, 120A, 40V, 158W, D2PAK, INFINEON

Denumire Produs: IPB120N04S402ATMA1, INFINEON


Preț: 41,63 RON

(Prețul include TVA)
Stoc Limitat

Cantitatea minimă pentru "IPB120N04S, N-MOSFET, 120A, 40V, 158W, D2PAK, INFINEON" este 2.

Manufacturer: Infineon 
Product Category: MOSFET 
RoHS:  Details  
Technology: Si 
Mounting Style: SMD/SMT 
Package/Case: TO-263-3 
Number of Channels: 1 Channel 
Transistor Polarity: N-Channel 
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 40 V 
Id - Continuous Drain Current: 120 A 
Rds On - Drain-Source Resistance: 1.58 mOhms 
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 2 V 
Vgs - Gate-Source Voltage: 20 V 
Qg - Gate Charge: 134 nC 
Minimum Operating Temperature: - 55 C 
Maximum Operating Temperature: + 175 C 
Pd - Power Dissipation: 158 W 
Configuration: Single 
Channel Mode: Enhancement 
Qualification: AEC-Q101 
Packaging: Cut Tape 
Packaging: MouseReel 
Packaging: Reel 
Height: 4.4 mm  
Length: 10 mm  
Transistor Type: 1 N-Channel  
Width: 9.25 mm  
Brand: Infineon Technologies  
  
Fall Time: 30 ns  
 
Product Type: MOSFET
 

 
ATENTIE: Imaginile produselor au numai titlu indicativ si pot diferi de imaginea reala a produselor. Acest lucru nu schimba caracteristicile lor de baza.

Lichidare Stoc