Cookies

Site-ul nostru foloseste cookies pentru a imbunatatii experienta de navigare si a oferii servicii mai usor de utilizat. Prin folosirea site-ului nostru va dati acordul ca ati citit si inteles termenii si conditiile, Info Cookies.

În curs de procesare...

IXFH110N25T, N-MOSFET, 250V, 110A, 694W, TO247-3, IXYS

Denumire Produs: IXFH110N10P, IXYS

COD: 92225


Preț: 64,43 RON

(Prețul include TVA)
Stoc Limitat
Producător: IXYS
Categorie produs: MOSFET
RoHS: Detalii
Tehnologie: Si
Stil de montare: Prin gaura
Pachet/Cutie: TO-247-3
Polaritatea tranzistorului: Canal N
Număr de canale: 1 canal
Vds - Tensiune de întrerupere a sursei de scurgere: 100 V
Id - Curent de scurgere continuă: 110 A
Rds On - Rezistența drenaj-sursă: 15 mOhmi
Vgs - Tensiune poarta-sursa: - 20 V, + 20 V
Vgs th - Tensiune prag poarta-sursa: 5 V
Qg - Taxă de poartă: 110 nC
Temperatura minima de functionare: - 55 C
Temperatura maxima de functionare: + 175 C
Pd - disiparea puterii: 480 W
Mod canal: Sporire
Nume comercial: HiPerFET
Ambalare: Tub
Marca: IXYS
Configurare: Singur
Toamna: 25 ns
Transconductanță directă - Min: 30 S
Înălţime: 21,46 mm
Lungime: 16,26 mm
Tip produs: MOSFET
Timpul de creștere: 25 ns
Serie: IXFH110N10P
Subcategorie: MOSFET-uri
Tip tranzistor: 1 canal N
Tip: MOSFET de putere PolarHT HiPerFET
Timp de întârziere tipic la oprire: 65 ns
Timp de întârziere tipic la pornire: 21 ns
Lăţime: 5,3 mm
 
 
ATENTIE: Imaginile produselor au numai titlu indicativ si pot diferi de imaginea reala a produselor. Acest lucru nu schimba caracteristicile lor de baza.

PRODUSE ASOCIATE

 
IPA60R600P6, N-MOSFET, 600V, 7.3A, TO220F,...

19,91 RON (Prețul include TVA)

   
SPB20N60C3, N-MOSFET, 650V, 20.7A, D2PAK, ...

46,49 RON (Prețul include TVA)

 
 
SPW17N80C3, N-MOSFET, 800V, 17A, 208W, TO2...

48,58 RON (Prețul include TVA)

   
Poza F60R190 MOSFET mica
IPP60R190C6, N-MOSFET, 600V, 20.2A, INFINEON

28,85 RON (Prețul include TVA)

 
 
SPP20N65C3, N-MOSFET, CH, 650V, 20.7A, TO2...

36,41 RON (Prețul include TVA)

     

Lichidare Stoc