Cookies

Site-ul nostru foloseste cookies pentru a imbunatatii experienta de navigare si a oferii servicii mai usor de utilizat. Prin folosirea site-ului nostru va dati acordul ca ati citit si inteles termenii si conditiile, Info Cookies.

În curs de procesare...
IXTP4N80P

IXTP60N10T, N-MOSFET, 100V, 60A, TO220, IXYS

Denumire Produs: IXTP60N10T, IXYS

COD: 95163


Preț: 21,29 RON

(Prețul include TVA)
Stoc Limitat

Cantitatea minimă pentru "IXTP60N10T, N-MOSFET, 100V, 60A, TO220, IXYS" este 1.

Manufacturer: IXYS
Product Category: MOSFET
RoHS: Details
Technology: Si
Mounting Style: Through Hole
Package/Case: TO-220-3
Transistor Polarity: N-Channel
Number of Channels: 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 100 V
Id - Continuous Drain Current: 60 A
Rds On - Drain-Source Resistance: 18 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage: - 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 2.5 V
Qg - Gate Charge: 49 nC
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Maximum Operating Temperature: + 175 C
Pd - Power Dissipation: 176 W
Channel Mode: Enhancement
Tradename: HiPerFET
Packaging: Tube
Brand: IXYS
Configuration: Single
Fall Time: 37 ns
Forward Transconductance - Min: 42 S
Height: 9.15 mm
Length: 10.66 mm
Product Type: MOSFET
 
 
ATENTIE: Imaginile produselor au numai titlu indicativ si pot diferi de imaginea reala a produselor. Acest lucru nu schimba caracteristicile lor de baza.

Lichidare Stoc